金融界2025年1月31日消息，国家知识产权局信息显示，安华高科技股份有限公司申请一项名为“具有静电放电保护的半导体装置”的专利，公开号CN 119384012 A，申请日期为2024年6月。

　　专利摘要显示，本公开涉及一种具有静电放电保护的半导体装置。一种可在静电放电保护方面提供优势的半导体装置，例如鳍式场效应晶体管FinFET。所述半导体装置包含具有无掺杂区域第掺杂区域第二掺杂区域及定位在所述第一掺杂区域与所述第二掺杂区域之间的第三掺杂区域的鳍。所述半导体装置进一步包含安置在所述鳍的所述无掺杂区域上的栅极、安置在所述第三掺杂区域上的硅化物层，及安置在所述硅化物层上以形成漏极的互连件。

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